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  • MMBTH10三極管,MMBTH10晶體管參數(shù)中文資料
    • 發(fā)布時間:2021-09-18 17:15:11
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    MMBTH10三極管,MMBTH10晶體管參數(shù)中文資料
    MMBTH10三極管,MMBTH10三極管封裝為SOT23,MMBTH10三極管參數(shù)規(guī)格書與MMBTH10三極管引腳管腳圖
    MMBTH10
    MMBTH10三極管SOT-23封裝規(guī)格書:點擊查看
    MMBTH10三極管參數(shù)具體如下:
    MMBTH10
    極性:NPN
    Power dissipation PCN(mw)功率:225mW
    Collector current lc(mA)電流:0.05A
    Collector-base voltage VCBO(V)集電極-基極電壓:30V
    Collector-emitter breakdown voltage VCEO(V)集電極-發(fā)射極電壓:25V
    Emitter base breakdown voltage VEBO(V)發(fā)射極-基極電壓:3V
    DC current gain hFE(min)最小放大倍數(shù):60
    DC current gain hFE(max)最大放大倍數(shù):
    Junction Temperature Tj 結溫:150℃
    Storage Temperature Tstg 儲存溫度:-55 to 150℃
    MMBTH10三極管,SOT-23封裝尺寸:
    MMBTH10
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