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短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)分析
2020-11-27
短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)分析MOSFET的短溝道效應(yīng)當(dāng)MOS晶體管的溝道長度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時,會出現(xiàn)一些不同于
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詳細解析MOS管示意圖,構(gòu)造知識要點
2020-11-27
詳細解析MOS管示意圖,構(gòu)造知識要點MOS管示意圖，構(gòu)造解析下圖MOS管工作原理示意圖為N溝道增強型MOS管工作原理示意圖，其電路符號如圖所示。
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防倒灌電路設(shè)計-MOS管防倒灌電路知識分享
2020-11-27
防倒灌電路設(shè)計-MOS管防倒灌電路知識分享MOS管防倒灌電路MOS管防倒灌電路設(shè)計如下圖所示:在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中, B點是充電器接口
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MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解詳析,就是這么簡單
2020-11-26
MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解詳析,就是這么簡單MOS管結(jié)構(gòu)原理MOS管又稱場效應(yīng)管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semicondu
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什么是Qg,MOS管Qg的概念詳解
2020-11-26
什么是Qg,MOS管Qg的概念詳解MOS管Qg的概念解析MOS管Qg概念Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷，是指MOS開關(guān)完全
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電機驅(qū)動-MOS管H橋原理詳細解析
2020-11-26
電機驅(qū)動-MOS管H橋原理詳細解析MOS管H橋原理電機驅(qū)動電路首先，單片機能夠輸出直流信號，但是它的驅(qū)動才能也是有限的，所以單片機普通做驅(qū)
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開關(guān)知識|模擬多路開關(guān)-MOSFET|概述與工作原理
2020-11-26
開關(guān)知識|模擬多路開關(guān)-MOSFET|概述與工作原理多路開關(guān)-MOSFET：概述多路開關(guān):在多路被測信號共用一路A D轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，用來將多
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安裝與更換MOS管注意事項
2020-11-26
安裝與更換MOS管注意事項安裝和更換MOS管注意事項一、安裝和更換MOS管前的準(zhǔn)備1 由于MOS管柵極絕緣層很薄，柵漏電容較小。有U=Q C，所以靜
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MOS管知識|詳解MOSFET中的噪聲
2020-11-26
MOS管知識|詳解MOSFET中的噪聲MOSFET中的噪聲噪聲源MOS器件的本底噪聲是器件中電壓和電流的自發(fā)漲落，與電子電荷的離散性緊密相關(guān)。噪聲的
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集成運算放大器|場效應(yīng)管集成運放解析
2020-11-26
集成運算放大器|場效應(yīng)管集成運放解析場效應(yīng)管集成運算放大器場效應(yīng)管集成運放：集成電路一般是在一塊厚0 2~0 5mm、面積約為0 5mm2的硅片，
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VMOS分享-感溫VMOS場效應(yīng)管主要特性分析
2020-11-25
VMOS分享-感溫VMOS場效應(yīng)管主要特性分析感溫VMOS場效應(yīng)管主要特性(1)這是一套N型智能VMOS功率器件,在器件的柵源極間制作了一個溫度傳感器。
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集成電路知識|MOS集成電路中的寄生效應(yīng)解析
2020-11-25
集成電路知識|MOS集成電路中的寄生效應(yīng)解析MOS集成電路中的寄生效應(yīng)在MOS集成電路中，除了電路設(shè)計中需要的MOS管外，還存在著一些不需要的